抑制性突觸后電位形成是突觸后膜對(duì)下列哪些離子通透性增加
編輯時(shí)間： 2019-10-14 13:48:04 來(lái)源：速來(lái)學(xué)整理sulaixue.com
抑制性突觸后電位形成是突觸后膜對(duì)下列哪些離子通透性增加
抑制性突觸后電位形成是突觸后膜對(duì)下列哪些離子通透性增加
A.Na+，K+，尤其是K+
B.Ca2+，Cl-，尤其是Ca2+
C.Na+，Cl-，尤其是Na+
D.K+，Cl-，尤其是Cl-
E.K+，Ca2+，Na+，尤其是Ca2+
答案：D
解析：抑制性突融后電位的形成是因?yàn)橥挥|后膜對(duì)Cl-（為主）和K+的通透性升高，引起Cl-的內(nèi)流和K+的外流，使膜內(nèi)負(fù)電位更負(fù)，引進(jìn)突觸后神經(jīng)元產(chǎn)生抑制。
速來(lái)學(xué)考試網(wǎng)(m.dancover.com.cn)為您整理了“抑制性突觸后電位形成是突觸后膜對(duì)下列哪些離子通透性增加”，更多相關(guān)文章請(qǐng)點(diǎn)擊查看 ，因考試政策、內(nèi)容不斷變化與調(diào)整，速來(lái)學(xué)考試網(wǎng)sulaixue.com提供的以上信息僅供參考，如有異議，請(qǐng)考生以權(quán)威部門公布的內(nèi)容為準(zhǔn)！